Samsung 850 Evo examen

Le Samsung 850 EVO est le dernier-né de sa gamme abordable de disques SSD hautes performances. Il témoigne de la volonté de Samsung de faire progresser le secteur de l’état solide, même à l’extrémité inférieure de la pile prix / performances.

Pour ce qui est des disques SSD, Samsung a vraiment mis ses couleurs au pôle. Il sera le premier à commercialiser de nouvelles technologies, à faire baisser les prix de manière agressive et à le faire tout seul.

À cet effet, le Samsung 850 Pro a été le premier disque SSD grand public à intégrer la mémoire 3D superposée constituant ses différentes capacités. Le Samsung 850 EVO suit cette tendance en utilisant une autre version de la technologie V-NAND pour sa gamme de SSD plus abordable. Et, il est abordable – même avant les offres Black Friday et Cyber ​​Monday, c’est l’un des SSD le plus économique.

La nouvelle 3D V-NAND – Samsung l’appelle NAND verticale – est conçue pour offrir une voie d’accès aux SSD de plus grande capacité dans les années à venir.

Le concept de mémoire empilée consiste à empiler des puces NAND les unes sur les autres, avec des traversées de silicium (TSV) fournissant des connexions directement à travers la pile. Cela contribuera à augmenter la bande passante, étant donné que les connexions sont physiquement plus proches, mais cela signifie également que des disques de plus grande capacité peuvent être fabriqués sans compter sur la réduction constante du nombre de modules NAND qui constituent les SSD.

Le V-NAND 3D de deuxième génération de Samsung est constitué de 32 couches superposées empilées les unes sur les autres dans chaque module. Ces modules ont une densité totale de 86Gbit.

Dense

Aujourd’hui, ce n’est pas la densité NAND la plus élevée que vous puissiez trouver dans les disques d’aujourd’hui. Crucial et Intel lancent des disques avec une densité NAND de 128 Gbit et se sont associés pour créer leur propre NAND 3D à 256 Gbit pour 2015 – mais la différence est que Samsung en utilisant seulement 40 nm de silicium pour y arriver.

En raison du fameux rétrécissement des processus de production dans tous les domaines de l’informatique – des processeurs à la mémoire en passant par les puces graphiques – il pourrait sembler à première vue que ceci soit un pas en arrière.

Nous sommes, après tout, habitués à utiliser la technologie NAND 19 nm dans nos disques SSD, même à 16 nm, donc utiliser un processus de production deux fois plus important annulerait certainement toutes les améliorations de performance et d’efficacité que nous avons relevées tout au long du processus. .

Toutefois, en raison de la capacité de 3D V-NAND à atteindre ces densités élevées avec une telle lithographie volumineuse, combinée aux augmentations de bande passante des TSV à l’intérieur des modules empilés, les matrices les plus grandes n’ont aucun impact sur les performances relatives.

Les gains d’efficacité des réductions de production précédentes sont également largement compensés par les réductions de puissance lors du passage de la technologie NAND 2D à 3D.

Samsung prévoit une réduction de 30% de la puissance opérationnelle du Samsung 850 EVO par rapport au Samsung 840 EVO plus ancien.

Hardy NAND

Le processus 40 nm prend tout son sens lorsque nous commençons à parler d’endurance.

Le principal avantage réside dans le fait que les processus de production plus importants sont plus fiables et plus durables que leurs descendants plus petits. Quand vous faites le changement, comme Samsung, de la conception MLC (Multi-Layer Cell) 2 bits de la 850 Pro haut de gamme au MLC 3 bits moins robuste, toute augmentation de l’endurance est la bienvenue.

Traditionnellement, le MLC 3 bits ne dure pas aussi longtemps que le 2 bits, ce qui explique pourquoi le Samsung 850 Pro bénéficie d’une garantie de dix ans.

Avec le MLC 40 bits 3 bits du Samsung 850 EVO, la garantie de cinq ans est plus courte, mais cela reste beaucoup plus long que le reste du monde abordable des SSD avec ses paris couverts de trois ans.

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